Apple iPhone 6S и LG G4 будут оборудованы памятью типа DDR4 от Samsung
Apple и LG подписали с Samsung многомиллиардные сделки на поставку модулей оперативной памяти следующего поколения для своих предстоящих флагманов iPhone 6S и G4. Эта информация поступила из корейских СМИ, но, к сожалению, не уточнятся, о памяти какого именно типа идёт речь. Недавно корейский производитель объявил о начале массового производства модулей памяти следующего поколения DDR4 для мобильных устройств, построенных по 20-нм техпроцессу. Также компания запустила в массовое производство комбинированные модули на 3 ГБ оперативной памяти DDR3 и 32 ГБ внутренней памяти. Тем не менее ожидается, что в iPhone 6S и LG G4 будет использоваться память типа DDR4.
Напомним, что в смартфоне LG G Flex 2, который был представлен в прошлом месяце на выставке CES 2015, используются платы LPDDR4 на 2 ГБ, поэтому было бы весьма странно, если бы для своего следующего флагмана корейский производитель отдал предпочтение памяти прошлого поколения.
«В соответствии с соглашением Samsung начнёт предоставлять LG Electronics 100% чипов мобильной памяти DRAM, необходимой для смартфона LG G4, который будет представлен в апреле. Также компания будет поставлять как минимум половину чипов для нового iPhone», — сообщает источник.
Напомним, что память типа LPDDR4 обеспечивает большую скорость передачи данных в сравнении с LPDDR3: 3 200 Мбит/с против 1 600 Мбит/с. Также LPDDR4 превосходит память предыдущего поколения и в плане энергоэффективности, так как она потребляет 1,1 В, что на 0,1 В меньше в сравнении с LPDDR3.
Источник: phonearena.com
© 4PDA
