Samsung ускорит внедрение подачи питания с оборотной стороны кристалла чипа
Технология может найти применение уже в рамках 2-нм техпроцесса со следующего года.
Использование передовой структуры транзисторов GAA в рамках 3-нм техпроцесса, который Samsung Electronics освоила в массовом производстве на полгода раньше TSMC, особых коммерческих успехов южнокорейскому гиганту не обеспечило. При этом она не собирается отказываться от амбиций в сфере перехода на подачу питания с оборотной стороны чипа, которую собираются в ближайшие годы реализовать и Intel, и TSMC.
По крайней мере, корейское издание Chosun Biz сообщает, что Samsung решила внедрить эту технологию не в рамках 1,7-нм техпроцесса где-то в 2027 году, а уже в следующем и в привязке к 2-нм техпроцессу. Обеспечивая оптимизацию подвода питания к структурным блокам чипа с оборотной стороны кристалла, производители повышают энергетическую эффективность чипа и быстродействие транзисторов, а также сокращают площадь кристалла при прочих равных условиях.
Источник изображения: Samsung Electronics
TSMC свою версию этой технологии собирается реализовать где-то в 2026 году, когда будет выпускать разновидности своей 2-нм продукции. Компания Intel в данной сфере претендует на звание первопроходца, поскольку уже в текущем году начнёт выпускать чипы по технологии 20A, которая как раз и предусматривает подвод питания с оборотной стороны кремниевой пластины.
