Samsung приступила к массовому производству 20-нм чипов памяти LPDDR3 для мобильных устройств
18 сентября 2014, 20:01
Samsung Electronics объявила о старте массового производства первых 20-нм чипов памяти LPDDR3 для мобильных устройств. Компания отмечает, что микросхемы обеспечивают значительный прирост в производительности, увеличение срока автономной работы гаджета, а также характеризуются высокой энергоэффективностью.
Новые чипы памяти LPDDR3 могут похвастаться скоростью передачи данных, равной 2133 Мбит/с. Четыре микросхемы ёмкостью 6 Гбит могут объединяться в модули объёмом 3 Гбайт, которые найдут своё применение в разнообразных мобильных устройствах. При этом такие модули на 20% меньше и на 10% энергоэффективнее по сравнению с аналогичными современными решениями.
Сообщается, что использование 20-нм техпроцесса обеспечивает прирост в производительности, достигающий 30%. Впервые эта технология была использована для выпуска микросхем памяти DDR3 для настольных компьютеров в марте. В будущем Samsung намеревается представить больше 20-нм чипов мобильной памяти.
Популярные материалы:
