Представлен прототип графеновой памяти
Ученые университета Райса (Хьюстон, Техас, США) представили технологию, которая сможет в корне преобразить индустрию современных устройств хранения данных. В основе технологии лежит сочетание слоя графена (толщиной в 10 атомов) и кремния. Одна 5-нанометровая ячейка подобной системы позволяет сохранять один бит данных.
Главным достоинством этой технологии будет ее возможность работать при температуре до 200 градусов Цельсия, что во много раз превосходит потенциал флеш-памяти. Последняя будет, кстати, проигрывать и в аспекте общей емкости накопителя.
Собственно, данная разработка была создана для того, чтобы противопоставить что-либо именно флеш-накопителям. Актуальные коммерческие флеш-продукты NAND-типа имеют в основе ячейки памяти размерами не менее 45 нанометров, в то время как их теоретический предел ограничивается показателем в 20 нм. По прогнозам, этот предел будет достигнут уже к 2012 году, и тогда, видимо, начнется внедрение принципиально новых продуктов.
